삼성전자, 美 실리콘밸리서 차세대 반도체 제품·신기술 공개

[한강타임즈 이영호 기자] 삼성전자는 지난 17일(현지시각) 미국 실리콘밸리에 위치한 미주법인 사옥에서 삼성 테크 데이 2018을 개최하고 차세대 반도체 솔루션을 소개했다고 밝혔다.

삼성전자에 따르면 ‘Samsung ＠ The Heart of Everything’이라는 주제로 지난해에 이어 두 번째로 개최된 이 행사에는 글로벌 IT업체와 미디어, 애널리스트, 테크(Tech) 파워 블로거 등 500여명이 참석했다.

이날 행사에는 삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장과 메모리 D램 개발실 장성진 부사장, FLASH 개발실 경계현 부사장, 솔루션 개발실 정재헌 부사장 및 상품기획팀 한진만 전무, 글로벌 IT 업계 주요 인사, 그리고 개발자들이 참석해 최신 반도체 시장의 흐름과 첨단기술 트랜드를 공유했다.

삼성전자는 이날 메모리에서는 △세계 최초 256GB 3DS RDIMM △기업용 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD △6세대 V낸드 기술 △2세대 Z-SSD 등을 공개했다. 파운드리 사업부에서는 EUV(극자외선) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.

이외에도 ‘Futurum Research’ 수석 분석가 다니엘 뉴먼이 ‘산업의 변화(Transformation of our Industry)’를 주제로 기조연설을 맡았으며, 이후 ‘삼성 테크놀로지 리더십’과 ‘에코-빌드/파트너십’두 가지 테마로 진행됐다.