[한강타임즈 이영호 기자] 삼성전자는 ‘28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)’ 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다.
삼성전자에 따르면 FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이며, MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가지는 메모리 반도체다.
내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다.
삼성전자의 ‘28나노 FD-SOI eMRAM’ 솔루션은 데이터 기록 시 삭제 과정이 필요 없고 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다.
삼성전자 관계자는 “이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것”이라고 말했다.
한편, 삼성전자는 이날 기흥캠퍼스에서 ‘28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM’ 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 가진다.
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